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集成電路及芯片
集成電路及芯片
集成電路用超高純電子氣體，主要有TEOS、鉭源、鉿源等，應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝的IC前驅(qū)體。 在包括薄膜、光刻、互連、摻雜技術(shù)等的半導(dǎo)體制造過程中，前驅(qū)體主要應(yīng)用于氣相沉積（包括物理沉積 PVD、化學(xué)氣相沉積 CVD 及原子氣相沉積ALD） ，以形成符合半導(dǎo)體制造要求的各類薄膜層。 此外， 前驅(qū)體也可用于半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)、蝕刻、離子注入摻雜以及清洗等，是半導(dǎo)體制造的核心材料之一。 半導(dǎo)體前驅(qū)體可分為：TEOS（正硅酸乙酯）、硼磷（B、 P）摻雜劑、金屬前驅(qū)體、高 k 前驅(qū)體、低 k 前驅(qū)體等。TEOS 和硼磷摻雜劑主要用于生成 ILD（Inter Layer Dielectric，層間電解質(zhì)）、 IMD（InterMeal Dielectric，金屬間電解質(zhì)），其中 TEOS 主要用于硅酮聚合物的交聯(lián)劑及二氧化硅薄膜前驅(qū)體。高 k 前驅(qū)體用于生成電容及柵極。
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